ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

 

время восстановления
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• build-up time
• building-up time
• rise time

 

время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]

время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]

Тематики

• электросвязь, основные понятия
• электротехника, основные понятия

EN

• build-up time
• building-up time
• rise time

 

время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]

Тематики

• системы зажигания автомоб. двигат.

EN

• rise time

FR

• temps de montée en tension

 

время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
t_нр
t_r
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

 

время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
t_нр
t_к
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

 

время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
t_нр
t_r
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время нарастания

EN

• rise time

DE

• Anstiegszeit

FR

• temps de croissance

 

время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
t_нар
t_r
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время нарастания сигнала

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

 

время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_у,пнр, t_нр
t_gr, t_r
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• rise time

FR

• temps de croissance

 

время подъёма
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• rise time

 

время подъёма мощности
(напр. ядерного реактора)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]

Тематики

• энергетика в целом

EN

• rise time

 

длительность переднего фронта импульса
время нарастания импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

Синонимы

• время нарастания импульса

EN

• leading edge pulse time
• leading edge time
• pulse leading-edge time
• pulse rise time
• rise time

3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.

Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.

Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа

112. Время нарастания тиристора

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_у,пнр, t_нр

Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя

Время нарастания импульса

Rise time

t_нр.из

Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время нарастания

Rise time

t_нр

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

37. Время нарастания для биполярного транзистора

D. Anstiegszeit

E. Rise time

F. Temps de croissance

t_нр

Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

время спада
время затухания
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

Синонимы

• время затухания

EN

• decay time
• fall time

 

время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время спада
t_сп
t_f
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время спада

EN

• fall time

 

время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
t_сп
t_f
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• fall time

DE

• Abfallzeit

FR

• temps de décroissance

 

время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
t_сп
t_f
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время спада

EN

• fall time

DE

• Abfallzeit

FR

• temps de décroissance

 

время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса
t_сп.из
t_f
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• время спада импульса

EN

• fall time

 

время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
t_сп
t_f
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время спада сигнала

EN

• fall time

FR

• temps de décroissance

 

время среза (заднего фронта) импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• fall time

28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя

Время спада импульса

Fall time

t_сп.из

Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время спада

Fall time

t_сп

Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

39. Время спада для биполярного транзистора

D. Abfallzeit

E. Fall time

F. Temps de décroissance

t_сп

Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
t_вкл
t_on
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• turn-on time

DE

• Einschaltzeit

FR

• temps total d’établissement

 

время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время включения
t_вкл
t_on
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10% значения входного сигнала и 90% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время включения

EN

• turn-on time

 

время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
t_вкл
t_on
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время включения

EN

• turn-on time

DE

• Einschaltzeit

FR

• temps total d’établissement

 

время включения стабилитрона
t_вкл
t_оп
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• стабилитроны

EN

• turn-on time

DE

• Einschaltzeit der Z-Diode

 

время включения тиристора
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_увкл, t_вкл
t_gt, t_t
Примечания
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• turn-on time

FR

• temps d’amorçage

86. Время включения стабилитрона

D. Einschaltzeit der Z-Diode

E. Turn-on time

t_вкл

Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

110. Время включения тиристора

E. Turn-on time

F. Temps d’amorcage

t_увкл, t_вкл

Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.

Примечания:

1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.

2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.

3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время включения

Turn-on time

t_вкл

Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10 % значения входного сигнала и 90 % значения выходного сигнала

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

40. Время включения биполярного транзистора

D. Einschaltzeit

E. Turn-on time

F. Temps total d'établissement

t_вкл

Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

время задержки
—
[Интент]

Параллельные тексты EN-RU

The relay remains energized for the duration of the timer.
[Schneider Electric]

Реле остается включенным до истечения времени задержки.
[Перевод Интент]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• delay period
• delay time
• TD
• time delay

 

время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
время задержки
t_з
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ.
[ ГОСТ 23769-79]

Тематики

• приборы и устройства защитные СВЧ

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

 

время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
t_зд
t_d
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• delay time

DE

• Verzögerungszeit

FR

• retard à la croissance

 

время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
t_зд
t_d
[ ГОСТ 19480-89]

Тематики

• микросхемы

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

FR

• temps de délai

 

время задержки модуля (блока) СВЧ
время задержки
t_з
Интервал времени с момента подачи сигнала на вход модуля (блока) СВЧ до момента появления сигнала на его выходе, определяемый на одинаковых относительных уровнях сигналов.
[ ГОСТ 23221-78]

Тематики

• компоненты техники связи

Обобщающие термины

• модули СВЧ, блоки СВЧ
• параметры

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

 

время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки
t_зд
t_d
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время задержки

EN

• delay time

 

время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
t_у,зд, t_зд
t_gd, t_d
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• delay time

FR

• retard à la croissance

3.11 продолжительность выдержки (delay time): Время определения аналитическим контрольно-измерительным прибором появления химического вещества на внутренней стороне образца для испытания.

Источник: ГОСТ Р ЕН 374-2009: Система стандартов безопасности труда. Средства индивидуальной защиты рук. Перчатки, защищающие от химикатов и микроорганизмов. Общие технические требования. Методы испытаний

111. Время задержки тиристора

E. Delay time

F. Retard à la croissance

t_у,зд, t_зд

Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.

Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время задержки

Delay time

t_зд

Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

36. Время задержки для биполярного транзистора

D. Verzögerungszeit

E. Delay time

F. Retard à la croissance

t_зд

Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

209. Время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ

Время задержки

Delay time

t_з

Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ

Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа

 

время задержки выключения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения
t^0,1_зд
t_DLN
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время задержки включения

EN

• turn-on delay time

 

время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
t_зд.вкл
t_d(on)
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время задержки включения

EN

• turn-on delay time

DE

• Einschaltverzögerungszeit

FR

• retard à la croissance

 

время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
t_зд.из
t_d
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• время задержки при включении

EN

• turn-on delay time

29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя

Время задержки при включении

Turn-on delay time

t_зд.из

Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя

Время задержки включения

Turn-on delay time

t^1и0_зд

Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
t_выкл
t_off
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• turn-off time

DE

• Ausschaltzeit

FR

• temps total de coupure

 

время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время выключения
t_выкл
t_off
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• время выключения

EN

• turn-off time

 

время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
t_выкл
t_off
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• время выключения

EN

• turn-off time

DE

• Ausschaltzeit

FR

• temps total de coupure

 

время выключения тиристора
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора.
Обозначение
t_выкл
t_q
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• turn-off time

FR

• temps de désamorçage

 

время отключения
—
[Интент]

время отключения
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• break time
• clearance time
• CT
• off time
• opening time
• trip time
• tripping time
• turn-off time

113. Время выключения тиристора

E. Turn-off time

F. Temps de désamorcage

t_выкл

Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Время выключения

Turn-off time

t_выкл

Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

41. Время выключения биполярного транзистора

D. Ausschaltzeit

E. Turn-off time

F. Temps total de coupure

t_выкл

Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C₂₂
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• output capacitance

DE

• Ausgangskapazität

FR

• capacité de sortie

 

выходная емкость оптоэлектронного переключателя
выходная емкость
С_вых
C_O
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• выходная емкость

EN

• output capacitance

 

выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C_22и
C_22ss
[ ГОСТ 19095-73] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

Синонимы

• выходная емкость

EN

• output capacitance

DE

• Ausgangskapazität

FR

• capacité de sortie

 

выходная ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• output capacitance

71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя

Выходная емкость

Output capacitance

С_вых

Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

28. Выходная емкость биполярного транзистора

D. Ausgangskapazität

E. Output capacitance

F. Capacité de sortie

С*₂₂

Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала

Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
I_пр.и (I_Fм)
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через элемент отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 25066-91]

Тематики

• индикаторы знакосинтезирующие

EN

• peak forward current

 

импульсный прямой ток диода
I_пр.и
I_FM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak forward current

DE

• Spitzendurchlassstrom der Diode

FR

• courant direct de crête

 

импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток
I_пр.и
I_FM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

EN

• peak forward current

8. Импульсный прямой ток диода

D. Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Peak forward current

F. Courant direct de crête

I_пр.и

Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя

Импульсный прямой ток

Peak forward current

I_пр.и

Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя
U_проб
U_(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• напряжение пробоя

EN

• breakdown voltage

 

пробивное "напряжение"
напряжение пробоя
—
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]

Тематики

• энергетика в целом

Синонимы

• напряжение пробоя

EN

• breakdown voltage
• BDV
• bdv

 

пробивное напряжение диода
U_проб, U_(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• breakdown voltage

DE

• Durchbruchspannung der Diode

FR

• tension de claquage

6. Пробивное напряжение диода

D. Durchbruchspannung der Diode

E. Breakdown voltage

F. Tension de claquage

U_проб

Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя

Напряжение пробоя

Breakdown voltage

U_проб

Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

постоянное обратное напряжение диода
U_обр, U_R
-
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• reverse continuous voltage

DE

• Sperrgleichspannung der Diode

FR

• tension inverse continue

 

постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
постоянное обратное напряжение
U_обр
U_R
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• постоянное обратное напряжение

EN

• reverse continuous voltage

3. Постоянное обратное напряжение диода

D. Sperrgleichspannung der Diode

E. Reverse continuous voltage

F. Tension inverse continue

U_обр

-

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя

Постоянное обратное напряжение

Reverse continuous voltage

U_обр

Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

запираемый ток тиристора
Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду.
Обозначение
I_з
I_TQ
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• turn-off current

FR

• courant de désamorçage

 

ток выключения тиристорной оптопары
ток выключения
I_выкл
I_off
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• ток выключения

EN

• turn-off current

60. Запираемый ток тиристора

E. Turn-off current

F. Courant de désamorcage

I_з

Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

57. Ток выключения тиристорной оптопары

Ток выключения

Turn-off current

I_выкл

Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

общая (электрическая) ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• total capacitance
• ct

 

общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость
C
C_tot
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• общая емкость

EN

• total capacitance

 

общая емкость тиристора
Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
Обозначение
C_общ
C_tot
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• total capacitance

FR

• capacité totale

125. Общая емкость тиристора

E. Total capacitance

F. Capacité totale

C_общ

Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

22. Общая емкость полупроводникового излучателя

Общая емкость

Total capacitance

C

Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

ток удержания тиристора
Наименьший основной ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии.
Обозначение
I_уд
I_H
[ ГОСТ 20332-84] 

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• holding current

FR

• courant hypostatique ou de maintien

 

ток удержания тиристорной оптопары
ток удержания
I_уд
Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• ток удержания

EN

• holding current

 

удерживающий ток
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• holding current
• seal current
• sealing current

48. Ток удержания тиристора

E. Holding current

F. Courant hypostatique ou de maintien

I_уд

Наименьший основной ток тиристора, необходимый для поддержания тиристора в открытом состоянии

Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

58. Ток удержания тиристорной оптопары

Ток удержания

Holding current

I_уд

Наименьшее значение тока, протекающего в выходной цепи тиристорной оптопары, необходимого для поддержания фотоприемного элемента в открытом состоянии при входном токе, равном нулю

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление
R_дин
R_D
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• динамическое сопротивление

EN

• dynamic resistance

 

динамическое сопротивление прибора М-типа
динамическое сопротивление
R_Д
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольт-амперной характеристики в заданной рабочей точке.
[ ГОСТ 23769-79]

Тематики

• приборы и устройства защитные СВЧ

Обобщающие термины

• параметры приборов М-типа

Синонимы

• динамическое сопротивление

EN

• dynamic resistance

 

резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• dynamic impedance
• rejector impedance
• dynamic resistance

24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя

Динамическое сопротивление

Dynamic resistance

R_дин

Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

233. Динамическое сопротивление прибора М-типа

Динамическое сопротивление

Dynamic resistance

R_д

Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольтамперной характеристики в заданной рабочей точке

Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа

 

импульсное обратное напряжение (на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
U_обр._и (U_RM)
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на элементе отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора.
[ ГОСТ 25066-91]

Тематики

• индикаторы знакосинтезирующие

EN

• peak reverse voltage

 

импульсное обратное напряжение диода
U_обр.и, U_RM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• peak reverse voltage

DE

• Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de crête

 

максимальное обратное напряжение
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• peak inverse voltage
• PIV
• peak reverse voltage
• PRV

4. Импульсное обратное напряжение диода

D. Spitzensperrspannung der Diode

E. Peak reverse voltage

F. Tension inverse de crête

U_обр.и

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

20. Импульсное обратное напряжение полупроводникового излучателя

Импульсное обратное напряжение

Peak reverse voltage

U_обр.и

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения на полупроводниковом излучателе

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

постоянный обратный ток диода
I_обр, I_R
-
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

EN

• reverse continuous current

DE

• Sperrgleichstrom der Diode

FR

• courant inverse continu

10. Постоянный обратный ток диода

D. Sperrgleichstrom der Diode

E. Reverse continuous current

F. Courant inverse continu

I_обр

-

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

16. Постоянный обратный ток полупроводникового излучателя

Постоянный обратный ток

Reverse continuous current

I_обр

Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

 

оптическая ось
Общая ось вращения поверхностей, составляющих центрированную оптическую систему.
[ ГОСТ 7427-76]

Тематики

• оптика, оптические приборы и измерения

EN

• optical axis

DE

• optische Achse

FR

• axe optique

 

оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры полупроводниковых излучателей

Синонимы

• оптическая ось

EN

• optical axis

10. Оптическая ось полупроводникового излучателя

Оптическая ось

Optical axis

-

Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

3.5.2 оптическая ось (optical axis): Средняя линия оптического пути.

Примечание - В соответствии с ГОСТ 7427 оптическая ось - это общая ось вращения поверхностей, составляющих центрированную оптическую систему.

Источник: ГОСТ Р 52350.29.4-2011: Взрывоопасные среды. Часть 29-4. Газоанализаторы. Общие технические требования и методы испытаний газоанализаторов горючих газов с открытым оптическим каналом оригинал документа

 

световое выходное сопротивление резисторной оптопары
световое сопротивление
R_вых.св
R_Е, R_H
Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• световое сопротивление

EN

• resistance under illumination

 

световое сопротивление
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• resistance under illumination

 

световое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
R_E
R_H
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• resistance under illumination

DE

• Hellwiderstand

FR

• résistance sous éclairement

62. Световое выходное сопротивление резисторной оптопары

Световое сопротивление

Resistance under illumination

R_вых.св

Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

57. Световое сопротивление ФЭПП

D. Hellwiderstand

E. Resistance under illumination

F. Résistance sous éclairement

R_E

Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

 

темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
темновое сопротивление
R_вых.т
R_o
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• темновое сопротивление

EN

• dark resistance

 

темновое сопротивление (фотоэлемента)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• dark resistance

 

темновое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
R_т
R_d
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83] 

Тематики

• приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

• dark resistance

DE

• Dunkelwiderstand

FR

• résistance d’obscurité

61. Темновое выходное сопротивление резисторной оптопары

Темновое сопротивление

Dark resistance

R_вых.т

Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

55. Темновое сопротивление ФЭПП

D. Dunkelwiderstand

E. Dark resistance

F. Resistance d'obscurité

R_t

Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

 

обратный ток (выпрямителя)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]

Тематики

• электротехника, основные понятия

EN

• inverse leakage current
• leakage current

 

ток утечки
Электрический ток, протекающий по нежелательным проводящим путям в нормальных условиях эксплуатации.
[ ГОСТ Р МЭК 60050-195-2005]

ток утечки
Любые токи, включая емкостные токи, которые могут протекать между открытыми проводящими поверхностями прибора и землей или другими открытыми проводящими поверхностями прибора.
[ГОСТ IЕС 60730-1-2011]

ток утечки
Ток, который протекает в землю или на сторонние проводящие части в электрически неповрежденной цепи.
[ ГОСТ Р 50807-95]

ток утечки
Электрический ток, протекающий в Землю, открытую и стороннюю проводящие части и защитный проводник при нормальных условиях.
Активное сопротивление изоляции токоведущих частей электрооборудования не может быть бесконечно большим, а их ёмкость относительно Земли или соединённых с Землёй проводящих частей не может быть равна нулю. Поэтому с любой токоведущей части, находящейся под напряжением, в Землю, а также в проводящие части, электрически соединённые защитными проводниками с заземляющим устройством электроустановки здания и с заземлённой токоведущей частью источника питания, постоянно протекает небольшой электрический ток, который в нормативной и правовой документации называют током утечки. В нормальном режиме электроустановки здания из токоведущих частей функционирующего электрооборудования всегда имеется утечка электрического тока в Землю, открытые и сторонние проводящие части и защитные проводники.
Путь, по которому протекает ток утечки, зависит от типа заземления системы. В электроустановках зданий, соответствующих типам заземления системы TT и IT, ток утечки электрооборудования класса I через неповреждённую основную изоляцию протекает из токоведущих частей в открытые проводящие части. Из открытых проводящих частей по защитным проводникам, главной заземляющей шине, заземляющим проводникам и заземлителю ток утечки протекает в локальную землю. Если электроустановка здания соответствует типам заземления системы TN, преобладающая часть тока утечки протекает не в локальную землю, а по защитным проводникам и по PEN-проводникам электроустановки здания и низковольтной распределительной электрической сети протекает до заземлённой токоведущей части источника питания.
[ http://www.volt-m.ru/glossary/letter/%D2/view/84/]

EN

leakage current
electric current in an unwanted conductive path other than a short circuit
[IEV number 151-15-49]

---

leakage current
electric current in an unwanted conductive path under normal operating conditions
Source: 151-03-35 MOD, 826-03-08 MOD
[IEV number 195-05-15]

FR

courant de fuite, m
courant électrique qui s'écoule à travers un chemin électrique non désiré autre qu'un court-circuit
[IEV number 151-15-49]

---

courant de fuite, m
courant électrique qui, dans des conditions normales de fonctionnement, s'écoule à travers un chemin électrique non désiré
Source: 151-03-35 MOD, 826-03-08 MOD
[IEV number 195-05-15]

Тематики

• электротехника, основные понятия
• электроустановки

EN

• earth current (deprecated)
• ground current (US)
• leakage current

DE

• Ableitstrom

FR

• courant de fuite

 

ток утечки конденсатора
Ток проводимости, проходящий через конденсатор при постоянном напряжении.
[ ГОСТ 21415-75]

Тематики

• конденсаторы для электронной аппаратуры

EN

• leakage current

DE

• Reststrom

FR

• courant de fuite

 

ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
ток утечки
I_ут.вых
I_s
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии.
[ ГОСТ 27299-87]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей

Синонимы

• ток утечки

EN

• leakage current

60. Ток утечки конденсатора

D. Reststrom

E. Leakage current

F. Courant de fuite

Ток проводимости, проходящий через конденсатор при постоянном напряжении

Источник: ГОСТ 21415-75: Конденсаторы. Термины и определения оригинал документа

45. Ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)

Ток утечки

Leakage current

I_ут.вых

Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии

Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа